半导体材料中的铜靶,主要是用来提高载流子迁移率。
半导体材料中的铜靶,主要是用来提高载流子迁移率。
1、半导体材料中的金属一般都有杂质和缺陷(缺陷是指原子排列不规则),当这些物质被电离后会产生自由电子和空穴(也叫电子-空穴对)。而金属与空气接触时,表面的氧气会将其中的部分电子或者空穴俘获,使得它们在金属内的扩散速度大于在空气中的扩散速度,从而降低了载流子的迁移率。但如果在金属中加入某种元素,就可以消除这个现象。这样的元素称为“掺杂剂”。